歐姆龍激光光電開關

**歐姆龍激光光電開關(guan) ，日本OMRON激光光電開關(guan) 選型參數
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激光型光電開關(guan) 與(yu) 目前常用的非相幹光型光電開關(guan) 雖同屬光電開關(guan) 一類，
但由於(yu) 它是由相幹性極強的半導體(ti) 激光器製成，與(yu) 後者相比，有著檢測距離遠、探測位置精度*、可供選用的波長範圍寬，
即從(cong) 可見光到紅外波段多達十餘(yu) 種品種等顯著的優(you) 點，因而有著十分廣闊的新的應用領域。
半導體(ti) 激光器是利用半導體(ti) 晶體(ti) 材料產(chan) 生激光的器件，它和其他激光器一樣，具有相幹性*、方向性強、發散角小、
亮度*等特點，並且還有著體(ti) 積小、效率*、調製方便等獨特的優(you) 點。
因而，這一產(chan) 品在集成光學、光纖通信、光纖傳(chuan) 感、激光測距、光貯存、激光印刷、**工程等領域有著廣泛應用。
利用半導體(ti) 激光器製作光電開關(guan) ，是其在光電傳(chuan) 感技術方麵的一個(ge) 成功用例導體(ti) 激光二極管的基本結構如圖所示，
垂直於(yu) 結麵的一對平行平麵構成法布裏——珀羅諧振腔，它們(men) 可以是半導體(ti) 晶體(ti) 的解理麵
也可以是經過拋光的平麵。其餘(yu) 兩(liang) 側(ce) 麵則相對粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。
半導體(ti) 中的光發射通常起因於(yu) 載流子的複合。當半導體(ti) 的結加有正向電壓時，會(hui) 削弱結勢壘，迫使電子從(cong) 區經結注入區，
空穴從(cong) 區經過結注入區，這些注入結附近的非平衡電子和空穴將會(hui) 發生複合，從(cong) 而發射出波長為(wei) λ的光子，其公式如下：
λ式中—普朗克常數；—光速；—半導體(ti) 的禁帶寬度。
上述由於(yu) 電子與(yu) 空穴的自發複合而發光的現象稱為(wei) 自發輻射。當自發輻射所產(chan) 生的光子通過半導體(ti) 時，一旦經過已發射的電子—空穴對附近，
就能激勵二者複合，產(chan) 生新光子，這種光子誘使已激發的載流子複合而發出新光子現象稱為(wei) 受激輻射。
如果注入電流足夠大，則會(hui) 形成和熱平衡狀態相反的載流子分布，即粒子數反轉。當有源層內(nei) 的載流子在大量反轉情況下，
少量自發輻射產(chan) 生的光子由於(yu) 諧振腔兩(liang) 端麵往複反射而產(chan) 生感應輻射，造成選頻諧振正反饋，或者說對某一頻率具有增益。
當增益大於(yu) 吸收損耗時，就可從(cong) 結發出具有良*譜線的相幹光——激光，這就是激光二極管的簡單原理。
隨著技術和工藝的發展，目前實際使用的半導體(ti) 激光二極管具有複雜的多層結構。
圖為(wei) 日本三洋公司的紅光半導體(ti) 激光二極管的結構。

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