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易福門IFM接近開關IIT209的結構特點分析

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產品名稱: 易福門IFM接近開關IIT209的結構特點分析
產品型號: NJ8-18GM-N
產品展商: IFM
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簡單介紹

易福門IFM接近開關IIT209的結構特點分析 霍爾開關具有無觸點、低功耗、長使用壽命、響應頻率*等特點，內部采用環氧樹脂封灌成一體化，所以能在各類惡劣環境下可靠的工作。霍爾開關可應用於接近傳感器、壓力傳感器、裏程表等，作為一種新型的電器配件。 易福門IFM接近開關IIT209的結構特點分析


易福門IFM接近開關IIT209的結構特點分析  的詳細介紹

易福門IFM接近開關(guan) IIT209的結構特點分析

技術信息：
感應距離 [mm] 14
重量 [g] 341 
開關(guan) 狀態 4 x 90° LED, 黃色
外殼 螺紋結構
電流損耗 [mA] 10; (24 V)
防護等級 II
尺寸 [mm] M30 x 1.5 / L = 59
**介紹：
電感式接近開關(guan) 由三大部分組成：振蕩器、開
關(guan) 電路及放大輸出電路。振蕩器產(chan) 生一個(ge) 交變
蕩衰減，以至停振。振蕩器振蕩及停振的變化
被後級放大電路處理並轉換成開關(guan) 信號，觸發
磁場。當金屬目標接近這一磁場，並達到感應
距離時，在金屬目標內(nei) 產(chan) 生渦流，從(cong) 而導致振
驅動控製器件，從(cong) 而達到非接觸式之檢測目的

易福門IFM接近開關(guan) IIT209的結構特點分析