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德國SICK傳感器的研究概況的資料有哪些
發布時間:2016-04-01
德國SICK傳感器的研究概況的資料有哪些
德國SICK傳感器市場上用於在*溫壓力測量領域中替代擴散矽壓力傳感器理想產品，但多晶矽在結構上存在長程無序性，使多晶矽電阻膜的靈敏度要低於單晶矽電阻膜的靈敏度。如果用單晶矽電阻膜替代多晶矽電阻膜，可以獲得良*的*溫**和更*的靈敏度。 

基於這種想法，天津大學姚素英教授等人，目前正對單晶矽德國SICK傳感器的可行性以及製作工藝進行深入的研究。該傳感器用單晶矽材料做應變電阻，並以一層SiO2薄膜將矽襯底與應變電阻層隔離，形成單晶矽SOI結構。 

其製作方法是，用矽片直接鍵合減薄的單晶矽SOI材料，襯底為*電阻率P型單晶矽，然後對單晶矽進行*濃度B擴散，並用等離子體幹法刻蝕電阻條，用LPCVD法雙麵澱積Si3N4保護膜，背麵光刻腐蝕窗口，各向異性腐蝕矽杯；後光刻引線孔，並做多層金屬化。上述步驟完成後，再對芯片進行靜電封接、壓焊、封裝等後道工序。 

與德國SICK傳感器相比，單晶矽做應變電阻材料，具有較*的靈敏度，單晶矽材料具有相同*的縱向和橫向靈敏靈敏因子，有利於設計優良的壓阻電橋，**傳感器有的輸出；應變電阻與襯底之間用SiO2介質層隔離，減小了漏電流，顯著提*了傳感器的工作溫度範圍；由於Si與SiO2之間的直接鍵合，接觸麵很匹配，沒有其它過濾層，避免了附加應力的產生，提*了傳感器的電學與力學特性；同時，單晶矽SOI傳感器的製作工藝與傳統的CMOS製作工藝兼容，易於實現集成化。所以這是一種**理想的*溫壓力傳感器。